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NTE475

更新时间： 2024-11-30 22:50:55

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NTE		晶体晶体管射频
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2页	24K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output

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NTE475 数据手册

NTE475

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

Description:

The NTE475 is an NPN silicon annular RF power transistor, optimized for large–scale power–amplifier

and driver applications to 300MHz.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V

Collector–Base Voltage,V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A

Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11.6W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66.3mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Dynamic Characteristics

Current Gain – Bandwidth Product

Output Capacitance

I = 200mA, Note 1

–

CEO(sus)

I = 0.25mA, I = 0

C E

(BR)CEO

I = 1mA, I = 0

E C

(BR)EBO

I = 100mA, V = 13.6V, f = 100MHz

–

350

–

MHz

= 13.6V, I = 0, f = 100kHz

12.5 20.0 pF

Functional Tests

Power Input

R = 50Ω, P = 12W, f = 175MHz

–

4.0

–

out

Common–Emitter Amplifier Power Gain

4.77 5.0

Collector Efficiency

–

Note 1. Pulsed thru a 25mH inductor.

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NTE475 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE16002	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor RF Power Output, PO = 13.5W, 175MHz
NTE350	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE476	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output
NTE477	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output
NTE478	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output, PO = 100W @ 175MHz
NTE48	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Darlington, General Purpose Amplifier, High Current
NTE480	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Broadband Amp, PO = 40W @ 512MHz
NTE481	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE482	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE4828	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional
NTE483	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 18W @ 866MHz
NTE484	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 25W @ 947MHz

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