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NTE475

更新时间： 2024-01-17 05:09:21

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NTE		晶体晶体管射频
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2页	24K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output

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NTE475 数据手册

NTE475

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

Description:

The NTE475 is an NPN silicon annular RF power transistor, optimized for large–scale power–amplifier

and driver applications to 300MHz.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V

Collector–Base Voltage,V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A

Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11.6W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66.3mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Dynamic Characteristics

Current Gain – Bandwidth Product

Output Capacitance

I = 200mA, Note 1

–

CEO(sus)

I = 0.25mA, I = 0

C E

(BR)CEO

I = 1mA, I = 0

E C

(BR)EBO

I = 100mA, V = 13.6V, f = 100MHz

–

350

–

MHz

= 13.6V, I = 0, f = 100kHz

12.5 20.0 pF

Functional Tests

Power Input

R = 50Ω, P = 12W, f = 175MHz

–

4.0

–

out

Common–Emitter Amplifier Power Gain

4.77 5.0

Collector Efficiency

–

Note 1. Pulsed thru a 25mH inductor.

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NTE475 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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NTE477	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output
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NTE48	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Darlington, General Purpose Amplifier, High Current
NTE480	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Broadband Amp, PO = 40W @ 512MHz
NTE481	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE482	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE4828	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional
NTE483	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 18W @ 866MHz
NTE484	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 25W @ 947MHz

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