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NTE488

更新时间： 2024-02-23 14:50:51

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NTE		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output

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NTE488 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.15	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	17 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	10 W
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE488 数据手册

NTE488

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

Description:

The NTE488 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for industrial use RF power

Amplifiers on VHF band mobile radio applications.

Features:

D High Power Gain: G_pe≥ 10.7dB @ V_CC= 13.5V, P_O= 3.5W, f = 175MHz

D TO39 Metal Sealed Package for High Reliability

D Emitter Electrode is Connected Electrically to the Case

Application:

1 to 3 Watt Power Amplifiers in VHF Band Mobile Radio Applications.

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Collector Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Junction Temperature, T_j. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

V_(BR)EBO

–

V_(BR)CBOI_C= 10mA, I_E= 0

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 50A, R_BE= ∞

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NTE488 替代型号

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