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NTE486 PDF预览

NTE486

更新时间： 2024-02-05 17:48:38
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NTE 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon NPN Transistor RF High Frequency Amplifier

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NTE486 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.81外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.15 A基于收集器的最大容量：4 pF
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-39JESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：2.5 W最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：2000 MHz

NTE486 数据手册

 浏览型号NTE486的Datasheet PDF文件第2页 
NTE486  
Silicon NPN Transistor  
RF High Frequency Amplifier  
Description:  
The NTE486 is a silicon NPN high frequency RF transistor in a TO39 type package designed for use  
in 12.5V UHF large–signal applications required in industrial equipment.  
Features:  
D Specified 12.5V, 470MHz Characteristics:  
Output Power = 0.75W  
Minimum Gain = 8dB  
Effeciency = 50%  
D S Parameter Data from 100MHz to 1GHz  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.3mW/°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 5mA, I = 0  
20  
35  
4
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 100µA, I = 0  
C E  
(BR)CBO  
V
I = 100µA, I = 0  
–
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
CE  
= 15V, I = 0  
–
10  
µA  
CEO  
B
ON Characteristics  
DC Current Gain  
h
V
= 10V, I = 50mA  
20  
–
60  
–
150  
0.5  
FE  
CE  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
V
I = 50mA, I = 5mA  
C
V
CE(sat)  
B
12

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NTE486 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC741 MITSUBISHI

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