Datasheet > NTE486

NTE486

更新时间： 2024-11-24 22:50:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon NPN Transistor RF High Frequency Amplifier

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE486 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	2.5 W	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	2000 MHz

NTE486 数据手册

NTE486

Silicon NPN Transistor

RF High Frequency Amplifier

Description:

The NTE486 is a silicon NPN high frequency RF transistor in a TO39 type package designed for use

in 12.5V UHF large–signal applications required in industrial equipment.

Features:

D Specified 12.5V, 470MHz Characteristics:

Output Power = 0.75W

Minimum Gain = 8dB

Effeciency = 50%

D S Parameter Data from 100MHz to 1GHz

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14.3mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 5mA, I = 0

–

(BR)CEO

I = 100µA, I = 0

C E

(BR)CBO

I = 100µA, I = 0

–

(BR)EBO

= 15V, I = 0

–

µA

CEO

ON Characteristics

DC Current Gain

= 10V, I = 50mA

–

150

0.5

Collector–Emitter Saturation Voltage

I = 50mA, I = 5mA

CE(sat)

中文翻译

下载PDF

NTE486 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC741	MITSUBISHI	功能相似	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

与NTE486相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE4868	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional
NTE488	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output
NTE489	NTE	获取价格	Silicon P-Channel JFET Transistor General Purpose AF Amplifier
NTE49	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors General Purpose, High Voltage Amp, Driver
NTE490	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE4900	NTE	获取价格	Surge Clamping, Overvoltage Transient Suppressor, Unidirectional
NTE4901	NTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
NTE4902	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional
NTE4903	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Bidirectional
NTE4904	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional

与NTE486相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE486

NTE486 技术参数

NTE486 数据手册

NTE486 替代型号

与NTE486相关器件

与NTE486相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE486

NTE486 技术参数

NTE486 数据手册

NTE486 替代型号

与NTE486相关器件

与NTE486相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？