NTE490

更新时间： 2024-11-20 22:30:19

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NTE		晶体开关小信号场效应晶体管
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2页	23K
描述
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE490 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	2.14
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.83 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE490 数据手册

NTE490

MOSFET

N–Ch, Enhancement Mode

High Speed Switch

Absolute Maximum Ratings:

Drain–Source Voltage, V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Drain Current (Note 1), I_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Note 1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current.

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max

Unit

Drain–Source Breakdown Voltage

Gate Reverse Current

= 0, I = 100µA

–

(BR)DSS

= 15V, V = 0

0.01 10

GSS

ON Characteristics (Note 2)

Gate Threshold Voltage

Static Drain–Source ON Resistance

Drain Cutoff Current

= V , I = 1mA

0.8

–

2.0

1.8

–

3.0

5.0

0.5

–

Ω

GS(Th)

(on)

= 10V, I = 200mA

= 25V, V = 0

–

µA

D(off)

Forward Transconductance

Small–Signal Characteristics

Input Capacitance

= 10V, I = 250mA

–

200

mmhos

iss

= 10V, V = 0, f = 1MHz

–

Switching Characteristics

Turn–On Time

I = 200mA

–

Turn–Off Time

I = 200mA

off

Note 2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

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NTE490 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BS170RLRAG	ONSEMI	功能相似	Small Signal MOSFET 500 mA, 60 Volts N−Channel TO−92 (TO−226)
BS170	FAIRCHILD	功能相似	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与NTE490相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE4900	NTE	获取价格	Surge Clamping, Overvoltage Transient Suppressor, Unidirectional
NTE4901	NTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
NTE4902	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional
NTE4903	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Bidirectional
NTE4904	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional
NTE4905	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Bidirectional
NTE4906	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional
NTE4907	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Bidirectional
NTE4908	ETC	获取价格
NTE4909	ETC	获取价格

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