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NTE489

更新时间： 2024-11-24 22:50:55
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NTE 晶体放大器小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon P-Channel JFET Transistor General Purpose AF Amplifier

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NTE489 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：2.12Is Samacsys：N
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.36 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTE489 数据手册

 浏览型号NTE489的Datasheet PDF文件第2页 
NTE489  
Silicon P–Channel JFET Transistor  
General Purpose AF Amplifier  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Gate–Drain Voltage (Note 1), VGD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Gate–Source Voltage (Note 1), VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.27mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +135°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case for 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C  
Note 1. Geometry is symmetrical. Units may be operated with source and drain leads interchanged.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Static Characteristics  
Gate–Source Breakdown Voltage  
Gate Reverse Current  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max  
Unit  
V
I = 1µA, V = 0  
30  
–
–
–
–
V
pA  
V
(BR)GSS  
G
DS  
I
V
GS  
= 20V, V = 0, Note 2  
200  
2.0  
–
GSS  
DS  
Gate–Source Cutoff Voltage  
Gate Current  
V
GS(off)  
I = –1nA, V = –15V  
0.5  
–
–
D
DS  
I
G
I = –2mA, V = –15V, Note 2  
15  
–
pA  
mA  
D
DG  
Saturation Drain Current  
Dynamic Characteristics  
I
V
DS  
= –15V, V = 0  
–2  
–15  
DSS  
GS  
Common–Source Forward  
Transconductance  
g
fs  
V
= –15V, V = 0, f = 1kHz,  
6000  
–
15000 µmho  
DS  
GS  
Note 3  
Common–Source Output Conductance  
Common–Source Input Capacitance  
g
V
DS  
V
DS  
V
DS  
= –15V, V = 0, f = 1kHz  
–
–
–
200  
–
µmho  
pF  
–
32  
4
os  
GS  
C
iss  
rss  
= –15V, V = 0, f = 1MHz  
GS  
Common–Source Reverse Transfer  
Capaticance  
C
= –15V, V = 0, f = 1MHz  
–
pF  
GS  
Equivalent Short–Circuit Input Noise  
Voltage  
e
n
V
DS  
= –10V, I = –2mA, f = 1kHz  
–
6
–
nV  
D
pHz  
Note 2. Approximately doubles for every 10°C increase in TA.  
Note 3. Pulse test duration = 2ms.  
12

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