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NTE4901

更新时间： 2024-11-21 21:19:51

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NTE		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
1页	72K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

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NTE4901 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-XALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	2.37	最小击穿电压：	6 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
最大重复峰值反向电压：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

NTE4901 数据手册

NTE4901

Surge Clamping, Overvoltage Transient Suppressor,

Bidirectional

Description:

The NTE4901 is a bidirectional transient voltage suppressor diode in an axial lead type package

designed for protecting intergrated circuits, MOS, hybrids and other voltage−sensitive semiconductors

and components.

Features:

D High Surge Capability

D Very Fast Clamping Time

Absolute Maximum Ratings:

Peak Pulse Power (1ms Exponential Pulse, Initial T_J= +25°C, Note 1), P_P. . . . . . . . . . . . . . . 1.5kW

Power Dissipation (T_A= +75°C, On Infinite heatsink), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5W

Non−Repetitive Surge Peak Forward Current (Initial T_J= +25°C, t = 10ms), I_FSM. . . . . . . . . . 250A

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Storage temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +175°C

Lead Temperature (During Soldering, 4mm from case, 10sec max.), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . +230°C

Thermal Resistance, Junction−to−Case (On Infinite Heatsink), R_thJ−C. . . . . . . . . . . . . . . . . 20°C/W

Note 1. For surges higher than the maximum value, the diode will present a short−circuit anode−

cathode.

Electrical Characteristics: (Note 2, Note 3)

Parameter

Stand−Off Voltage

Symbol

V_RM

Test Conditions

I_RM= 300µA

Min Typ Max

Unit

−

Breakdown Voltage

Clamping Voltage

V_(BR)I_R= 1mA, Note 4

V_(CL)1ms expo I_PP= 1A Max

I_PP= 10A Max

−

7.1

7.5

160

1340

5.7 10⁻⁴/°C

−

Peak Pulse Current

I_PP

1ms expo

−

8−20µs expo

Temperature Coefficient of V_(BR)

Capacitance

−

V_R= 0, f = 1MHz

11000

Note 2. The NTE4901 is bidirectional device; electrical characteristics apply in both directions.

Note 3. Clamping time (0V o V_(BR)): t_clamping< 5ns.

Note 4. Pulse Test: Pulse Width ≤ 50ms, Duty Cycle < 2%.

1.100 (27.94)

Min

.375 (9.52)

Max

.042 (1.07) Dia Max

.205 (5.21) Dia Max

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