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NTE491 PDF预览

NTE491

更新时间： 2024-11-20 22:30:19
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE491 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：2.14
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.2 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：25 pFJESD-30 代码：O-PBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE491 数据手册

 浏览型号NTE491的Datasheet PDF文件第2页 
NTE491  
MOSFET  
N–Ch, Enhancement Mode  
High Speed Switch  
Absolute Maximum Ratings:  
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Drain–Gate Voltage (RGS = 1MΩ), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±40V  
Drain Current, ID  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA  
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW  
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, Rth (JA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 312.5°C/W  
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . . . +300°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max  
Unit  
OFF Characteristics  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
V
V
V
V
= 48V, V = 0  
–
–
–
–
–
–
1.0  
1.0  
–
µA  
mA  
V
DSS  
DS  
GS  
= 48V, V = 0, T = +125°C  
DS  
GS  
J
Drain–Source Breakdown Voltage  
Gate–Body Leakage Current, Forward  
ON Characteristics (Note 1)  
Gate Threshold Voltage  
V
= 0, I = 10µA  
60  
–
(BR)DSS  
GS  
GSF  
D
I
= 15V, V = 0  
–10  
nA  
GSSF  
DS  
V
GS(Th)  
I = 1mA, V = V  
D GS  
0.8  
–
–
–
–
–
–
–
–
3.0  
5.0  
6.0  
2.5  
0.45  
–
V
Ω
DS  
Static Drain–Source ON Resistance  
r
V
= 10V, I = 500mA  
D
DS(on)  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
V
V
V
V
V
= 4.5V, I = 75mA  
–
Ω
D
Drain–Source ON–Voltage  
V
DS(on)  
= 10V, I = 500mA  
–
V
D
= 4.5V, I = 75mA  
–
V
D
ON–State Drain Current  
I
= 4.5V, V = 10V  
75  
100  
mA  
µmhos  
d(on)  
DS  
Forward Transconductance  
g
fs  
= 10V, I = 200mA  
–
D
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.  
12

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