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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTE491T
NTE491T PDF预览

NTE491T

更新时间： 2024-01-13 04:08:21
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 27K
描述
N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE491T 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2.1配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.31 A
最大漏源导通电阻：5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJEDEC-95代码：TO-237
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE491T 数据手册

 浏览型号NTE491T的Datasheet PDF文件第2页 
NTE491T  
MOSFET  
N-Ch, Enhancement Mode  
High Speed Switch  
Features:  
D Zener Diode Input Protected  
D Low On-Resistance  
D Ultralow Threshold  
D Low Input Characteristics  
D Low Input and Output Leakage  
Applications:  
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories, Transistors, etc,  
D Battery Operated Systems  
D Solid-State Relays  
D Inductive Load Drivers  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Drain-Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Gate-Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15/-0.3V  
Drain Current, ID  
Continuous (TJ = +150°C)  
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310mA  
TA = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA  
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Power Dissipation, PD  
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W  
TA = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mW  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Rth (JA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W  
12

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