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NTE473

更新时间： 2024-02-17 14:43:30

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NTE		晶体驱动器晶体管射频
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Driver

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NTE473 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.37
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
基于收集器的最大容量：	10 pF	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	7 W	最大功率耗散 (Abs)：	7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	500 MHz

NTE473 数据手册

NTE473

Silicon NPN Transistor

RF Power Driver

Description:

The NTE473 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed for amplifier and oscillator

applications in military and industrial equipment. Suitable for use as output, driver or predriver stages

in VHF equipment.

Features:

D Specified 175MHz, 28V Characteristics:

Output Power: 2.5W

Minimum Gain: 10dB

Efficiency: 50%

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 200mA, I = 0, Note 1

–

CEO(sus)

I = 0.1mA, I = 0

–

(BR)EBO

= 30V, I = 0

–

0.1

5.0

1.0

0.1

CEO

= 30V, V

= 65V, V

= 1.5V, T = +200°C

–

CEX

BE(off)

= 1.5V

–

Emitter Cutoff Current

= 4V, I = 0

–

EBO

Note 1. Pulsed thru a 25mH inductor.

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