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NTE473 PDF预览

NTE473

更新时间： 2024-11-30 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体驱动器晶体管射频
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Driver

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NTE473 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：2.37
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
基于收集器的最大容量：10 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-39
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：7 W最大功率耗散 (Abs)：7 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：500 MHz

NTE473 数据手册

 浏览型号NTE473的Datasheet PDF文件第2页 
NTE473  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Driver  
Description:  
The NTE473 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed for amplifier and oscillator  
applications in military and industrial equipment. Suitable for use as output, driver or predriver stages  
in VHF equipment.  
Features:  
D Specified 175MHz, 28V Characteristics:  
Output Power: 2.5W  
Minimum Gain: 10dB  
Efficiency: 50%  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 200mA, I = 0, Note 1  
40  
4
–
–
–
–
–
–
–
V
CEO(sus)  
C
B
V
I = 0.1mA, I = 0  
–
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
BE  
= 30V, I = 0  
–
0.1  
5.0  
1.0  
0.1  
mA  
mA  
mA  
mA  
CEO  
B
I
= 30V, V  
= 65V, V  
= 1.5V, T = +200°C  
–
CEX  
BE(off)  
BE(off)  
C
= 1.5V  
–
Emitter Cutoff Current  
I
= 4V, I = 0  
–
EBO  
C
Note 1. Pulsed thru a 25mH inductor.  
12

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