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NTE474

更新时间: 2024-12-01 20:32:47
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NTE 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-202, TO-202, 3 PIN

NTE474 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:2.03外壳连接:EMITTER
最大集电极电流 (IC):0.6 A集电极-发射极最大电压:18 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):5
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码:TO-202
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:9.5 W
最大功率耗散 (Abs):9.5 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

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