NTE480

更新时间： 2024-11-01 22:50:55

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NTE		晶体放大器晶体管射频
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2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output for Broadband Amp, PO = 40W @ 512MHz

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NTE480 数据手册

NTE480

Silicon NPN Transistor

RF Power Output for Broadband Amp,

P_O= 40W @ 512MHz

Description:

The NTE480 is a 12.5 Volt epitaxial silicon NPN common emitter transistor designed for broadband

applications in the 450 to 512MHz land mobile radio band. This device utilizes diffused emitter resis-

tors to withstand infinite VSWR under operating conditions.

Features:

D Designed for UHF Commercial Equipment

D 38W with Greater than 5.8dB Gain

D Withstands 20:1 VSWR Min., All Phase Angles

D Tuned Q Technology

D Diffused Emitter Resistors

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless othrwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Maximum Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Total Device Dissipation (At +25°C), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5°C/W

Electrical Characteristic: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

Static

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 50mA, I = 0, Note 1

–

(BR)CEO

I = 15mA, V = 0, Note 1

C BE

(BR)CES

(BR)EBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

I = 5mA, i = 0

= 12.5V, V = 0

–

CES

= 5V, I = 1A

Note 1. Pulsed through 25mH indicator.

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NTE480 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SC2643	TOSHIBA	类似代替	TRANSISTOR (UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
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NTE483	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 18W @ 866MHz
NTE484	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 25W @ 947MHz
NTE4840	NTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
NTE485	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE4858	NTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 48V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
NTE486	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF High Frequency Amplifier
NTE4868	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional

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