NTE477

更新时间： 2024-11-30 22:50:55

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NTE		晶体射频双极晶体管放大器局域网
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描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output

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NTE477 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MRFM-F6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	其他特性：	WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS, HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	17 V
配置：	SINGLE	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-MRFM-F6	元件数量：	1
端子数量：	6	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	75 W
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE477 数据手册

NTE477

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

Description:

The NTE477 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for RF power amplifiers in VHF

band mobile radio applications.

Features:

D High power gain: G_pe≥ 8.2dB @ V_CC= 13.5V; V_O= 40W; t = 175MHz

D Emitter ballasted construction and gold metallization for high reliability, and good performances

D Low thermal resistance ceramic package with flange

D Ability of withstanding more than 20:1 load VSWR when operated at V_CC= 15.2V,

P_O= 40W, f = 175MHz, T_C= 25°C

Applications:

30 to 35 watts output power amplifiers in VHF band mobile radio applications.

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector–Emitter Voltage (R_BE= ∞), V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Collector Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75W

Junction Temperature, T_j. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33.3°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

V_(BR)EBOI_E= 10mA, I_O= 0

V_(BR)CBOI_O= 10mA, I_E= 0

–

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_O= 0.1A, R_BE= ∞

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NTE477 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE16002	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor RF Power Output, PO = 13.5W, 175MHz
NTE350	NTE	功能相似	Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver
NTE320	NTE	功能相似	Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz

与NTE477相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE478	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output, PO = 100W @ 175MHz
NTE48	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Darlington, General Purpose Amplifier, High Current
NTE480	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Broadband Amp, PO = 40W @ 512MHz
NTE481	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE482	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE4828	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional
NTE483	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 18W @ 866MHz
NTE484	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 25W @ 947MHz
NTE4840	NTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
NTE485	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

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