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NTE485

更新时间: 2024-02-23 07:37:18
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NTE 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN

NTE485 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:2.01Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):7.5 A集电极-发射极最大电压:18 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-CDFM-F6
元件数量:1端子数量:6
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:70 W最大功率耗散 (Abs):70 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

NTE485 数据手册

  

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