5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> NTE478
NTE478 PDF预览

NTE478

更新时间： 2024-02-20 19:17:27
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output, PO = 100W @ 175MHz

阅读下载

中文翻译

获取价格

NTE478 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.99Is Samacsys：N
其他特性：DIFFUSED BALLAST RESISTORS最大集电极电流 (IC)：20 A
基于收集器的最大容量：354 pF集电极-发射极最大电压：18 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRFM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：270 W最大功率耗散 (Abs)：270 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE478 数据手册

 浏览型号NTE478的Datasheet PDF文件第2页 
NTE478  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Output, PO = 100W @ 175MHz  
Description:  
The NTE478 is a 12.5 Volt epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for VHF commu-  
nications. This device utilizes diffused emitter resistors to achieve infinite VSWR under operating  
conditions, and is internally input matched to optimize power gain and efficiency over the band.  
Features:  
D Designed for VHF Military and Commercial Equipment  
D 100W Min with Greater than 6.0dB Gain  
D Withstands Infinite VSWR under Operating Conditions  
D Low Intermodulation Distortion (–32dB)  
D Diffused Emitter Resistors  
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless othrwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Maximum Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A  
Total Device Dissipation (At +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65°C/W  
Electrical Characteristic: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Static  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 100mA, I = 0, Note 1  
18  
36  
4
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 100mA, V = 0, Note 1  
C BE  
(BR)CES  
(BR)EBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
DC Current Gain  
V
I = 10mA, i = 0  
–
V
E
C
I
V
= 12V, I = 0  
–
10  
–
mA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
FE  
V
= 6V, I = 5A  
10  
C
Note 1. Pulsed through 25mH indicator.  
12

中文翻译

下载PDF

NTE478 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NTE16002 NTE

类似代替

 Silicon NPN Transistor RF Power Output, PO = 13.5W, 175MHz
NTE352 NTE

类似代替

 Silicon Complementary Transistors Digital w/2 Built-In Bias 47k Resistors (Surface Mount)
NTE320 NTE

功能相似

 Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz

与NTE478相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTE48 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor Darlington, General Purpose Amplifier, High Current
NTE480 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Output for Broadband Amp, PO = 40W @ 512MHz
NTE481 NTE

获取价格

 		RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE482 NTE

获取价格

 		RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE4828 NTE

获取价格

 		Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional
NTE483 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 18W @ 866MHz
NTE484 NTE

获取价格

 		Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 25W @ 947MHz
NTE4840 NTE

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
NTE485 NTE

获取价格

 		RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE4858 NTE

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 48V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

与NTE478相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证