NTE483

更新时间： 2024-02-25 11:46:02

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NTE		晶体晶体管射频
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2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 18W @ 866MHz

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NTE483 数据手册

NTE483

Silicon NPN Transistor

RF Power Output for Mobile Use,

P_O= 18W @ 866MHz

Description:

The NTE483 is a 12.5 Volt epitaxial silicon NPN planer transistor designed for primarily for 800MHz

mobile communications. This device utilizes matched input technology (Tuned Q) to increase band-

width and power gain over the complete range of 806–866MHz.

Features:

D Designed for 806–866MHz Mobile Equipment

D 18W Min., with Greater than 6dB Gain at 836MHz

D Withstands 10:1 VSWR at Rated Operating Conditions

D Matched Input Technology

D Common Base

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless othrwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Maximum Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A

Total Device Dissipation (At +25°C), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.8°C/W

Electrical Characteristic: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

Static

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 50mA, I = 0, Note 1

–

(BR)CEO

I = 50mA, V = 0, Note 1

C BE

(BR)CES

(BR)EBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

I = 10mA, i = 0

–

= 15V, V = 0

–

CES

= 6V, I = 1A

Note 1. Pulsed through 25mH indicator.

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