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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> NTE476
NTE476 PDF预览

NTE476

更新时间： 2024-11-30 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体射频双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output

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NTE476 技术参数

生命周期：Active包装说明：POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：2.01
Is Samacsys：N外壳连接：EMITTER
最大集电极电流 (IC)：3 A基于收集器的最大容量：45 pF
集电极-发射极最大电压：18 V配置：SINGLE
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-MUPM-D3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：23 W最大功率耗散 (Abs)：23 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：350 MHz
Base Number Matches：1

NTE476 数据手册

 浏览型号NTE476的Datasheet PDF文件第2页 
NTE476  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Output  
Description:  
The NTE476 is a silicon epitaxial NPN–planar transistor which employs a multi–emitter electrode de-  
sign. This feature together with a heavily diffused base matrix located between the individual emitters  
result in high RF current handling capability, high power gain, low base resistance and low output ca-  
pacitance. This device is intended for use as a Class A, B or C amplifier and in oscillator and frequency  
multiplier circuits.  
Features:  
D Designed for VHF mobile and marine transmitters  
D High efficiency at maximum stability  
D Improved metallization to achieve extreme ruggedness  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C except where specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Continuous Collector Current, ICmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A  
Total Dissipation at 25°C Stud, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23.2W  
Thermal Resistance, Junction–to–Stud, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.54°C/W  
Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to 200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to 200°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 200mA, I = 0, Note 1  
18  
36  
4
–
–
–
–
–
–
–
V
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 500µA, I = 0  
C E  
(BR)CBO  
V
I = 2mA, I = 0  
E C  
(BR)EBO  
I
V
CB  
= 15V, I = 0  
–
0.25 mA  
CBO  
E
Dynamic Characteristics  
Current Gain – Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
I = 100mA, V = 13.6V  
–
–
350  
–
–
MHz  
pF  
T
C
CE  
C
V
CB  
= 13.6V, I = 0, f = 100kHz  
45  
ob  
E
Functional Tests  
Power Output  
P
V
CE  
= 13.6V, f = 175MHz  
12  
4.77  
80  
–
–
–
–
–
–
W
dB  
%
OUT  
Power Gain (Class C)  
P
g
Collector Efficiency (Class C)  
η
Note 1. Pulsed thru a 25mH inductor.  
12

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