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NTE484

更新时间： 2024-11-01 22:50:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 25W @ 947MHz

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NTE484 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	2.03
最大集电极电流 (IC)：	10 A	基于收集器的最大容量：	65 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	75 W
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE484 数据手册

NTE484

Silicon NPN Transistor

RF Power Output for Mobile Use,

P_O= 25W @ 947MHz

Description:

The NTE484 is a 12.5 Volt epitaxial silicon NPN planer transistor designed for primarily for 800MHz

mobile communications. This device is internally input matched in the common base configuration

for extremely broadband performance and optimum gain characteristics.

Features:

D Designed for 800 MHz Mobile Communications Equipment

D 25W Min., with Greater than 5dB Gain at 836MHz

D Withstands Infinite VSWR at Rated Operating Conditions

D Internal Input matched “Tuned Q”

D Common Base Configuration

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless othrwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Maximum Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Total Device Dissipation (At +25°C), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3°C/W

Electrical Characteristic: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

Static

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 50mA, I = 0, Note 1

–

(BR)CEO

I = 50mA, V = 0, Note 1

C BE

(BR)CES

(BR)EBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

I = 10mA, I = 0

–

= 15V, V = 0

–

CES

= 6V, I = 1A

Note 1. Pulsed through 25mH indicator.

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