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NTE4840

更新时间： 2024-11-21 15:46:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
2页	20K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,

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NTE4840 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	2.2
最大击穿电压：	29.5 V	最小击穿电压：	26.7 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	5000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	8 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	24 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

NTE4840 数据手册

NTE4828 thru NTE4868

Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor

Unidirectional

Description:

The NTE4800 Series of high power transient suppressors are Silicon PN Junction devices designed

for absorbtion of high voltage transients associated with power disturbances, switching and induced

lighting effects. These devices were designed to be used on the output of switching power supplies

and may be used to replace crowbar circuits.

They are able to withstand high levels of peak current while allowing a circuit breaker to trip of a fuse

to blow before shorting. This will enable the user to reset the breaker or replace the fuse and continue

operation. For this type of operation, it is recommended that a sufficient mounting surface be used

for dissipating the heat generated by the device during the transient or overvoltage condition.

Features:

D Glass Passivated Junction

D 5000W Peak Pulse Power Capability on 10/1000µs Waveform

D Repetition Rate (Duty Cycle): 0.05%

D Low Incremental Surge Resistance

D Fast Response Time

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Minimum Peak Puse Power Dissipation (10/1000µs Waveform, Note 1), P_PPM. . . . . . . . . . 5000W

Peak Pulse Current (10/1000µs Waveform, Note 1), I_PPM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . See Table

Steady State Power Dissipation (T_L= +75°C, Lead Length .375” (9.5mm), Note 2), P_M(AV). . . 8W

Peak Forward Surge Current, I_FSM

(8.3ms Single Half Sine–Wave Superimposed on Rated Load, Note 3) . . . . . . . . . . . . . 400A

Instantaneous Forward Voltage (I_F= 100A, Note 3), V_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5V

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Lead Temperature (During Soldering, .375” (9.5mm) Lead Length, 10sec ), T_L. . . . . . . . . . +300°C

Note 1. Non–repetitive current pulse, dereated above T_A= +°C.

Note 2. Mounted on Copper Leaf area of 0.79in²(20mm²).

Note 3. Measured on 8.3ms single half sine–wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses

per minute maximum.

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NTE4840 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
5KP24A-B	LITTELFUSE	类似代替	Transient Voltage Suppression Diodes
5KP24A	LITTELFUSE	类似代替	Transient Voltage Suppression Diodes
5KP24A	DIOTEC	类似代替	Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes

与NTE4840相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE485	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE4858	NTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 48V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
NTE486	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF High Frequency Amplifier
NTE4868	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional
NTE488	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output
NTE489	NTE	获取价格	Silicon P-Channel JFET Transistor General Purpose AF Amplifier
NTE49	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors General Purpose, High Voltage Amp, Driver
NTE490	NTE	获取价格	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE4900	NTE	获取价格	Surge Clamping, Overvoltage Transient Suppressor, Unidirectional
NTE4901	NTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

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