NTE470

更新时间： 2024-01-14 13:28:53

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管射频放大器局域网
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描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output

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NTE470 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	W52, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.67
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	O-CRFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	250 W	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE470 数据手册

NTE470

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

Description:

The NTE470 is a silicon NPN RF transistor in a W52 type package designed primarily for application

as a high–power linear amplifier from 2.0 to 30MHz.

Features:

D Specified 12.5V, 30MHz Characteristics:

Output Power = 100W (PEP)

Minimum Gain = 10dB

Efficiency

= 40%

D Intermodulation Distortion @ 100W (PEP): IMD = –30dB Min

D 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Withstand Current (10s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 290W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.66W/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 50mA, I = 0

–

(BR)CEO

I = 200mA, V = 0

C BE

(BR)CES

Collector–Base Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 200mA, I = 0

–

(BR)CBO

I = 10mA, I = 0

–

(BR)EBO

= 16V, V = 0, T = +25°C

–

CES

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