NTE48

更新时间： 2024-11-01 22:50:55

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NTE		晶体放大器晶体管
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2页	24K
描述
Silicon NPN Transistor Darlington, General Purpose Amplifier, High Current

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NTE48 数据手册

NTE48

Silicon NPN Transistor

Darlington, General Purpose Amplifier,

High Current

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown

Voltage

V_(BR)CESI_C= 1mA, I_B= 0, Note 1

–

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 1.0µA, I_E= 0

Emitter–Base Breakdown Voltage V_(BR)EBOI_E= 10µA, I_C= 0

600

–

Collector Cutoff Voltage

Emitter Cutoff Current

I_CBO

I_EBO

V_CB= 40V, I_E= 0

V_BE= 10V, I_C= 0

100

–

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