NTE48

更新时间： 2024-11-30 22:50:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Silicon NPN Transistor Darlington, General Purpose Amplifier, High Current

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE48 数据手册

NTE48

Silicon NPN Transistor

Darlington, General Purpose Amplifier,

High Current

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown

Voltage

V_(BR)CESI_C= 1mA, I_B= 0, Note 1

–

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 1.0µA, I_E= 0

Emitter–Base Breakdown Voltage V_(BR)EBOI_E= 10µA, I_C= 0

600

–

Collector Cutoff Voltage

Emitter Cutoff Current

I_CBO

I_EBO

V_CB= 40V, I_E= 0

V_BE= 10V, I_C= 0

100

–

中文翻译

下载PDF

与NTE48相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE480	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Broadband Amp, PO = 40W @ 512MHz
NTE481	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE482	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE4828	NTE	获取价格	Surge Clamping, Transient Overvoltage Suppressor Unidirectional
NTE483	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 18W @ 866MHz
NTE484	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Output for Mobile Use, PO = 25W @ 947MHz
NTE4840	NTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
NTE485	NTE	获取价格	RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN
NTE4858	NTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 48V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
NTE486	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF High Frequency Amplifier

与NTE48相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

53
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

42
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

70
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

66

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE48

NTE48 数据手册

与NTE48相关器件

与NTE48相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE48

NTE48 数据手册

与NTE48相关器件

与NTE48相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？