NTE472

更新时间： 2024-11-30 22:50:55

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NTE		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 1.8W @ 175MHz

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NTE472 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.33 A
基于收集器的最大容量：	15 pF	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	5 W
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE472 数据手册

NTE472

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

P_O= 1.8W @ 175MHz

Description:

The NTE472 is a silicon NPN transistor designed for amplifier, frequency multiplier or oscillator ap-

plications in military, mobile marine and citizens band equipment. Suitable for use as output driver

or pre–driver stages in VHF and UHF equipment.

Features:

D Specified 12.5 Volt, 175MHz Characteristics:

Output Power = 1.75 Watts

Minimum Gain = 11.5dB

Efficiency = 50%

D Characterized through 225MHz

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.33A

Total Device Dissipation (T_C= +75°C , Note 1), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5W

Derate Above 75°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Note 1. This device is designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only

when the device is operated as a class B or C RF amplifier.

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 25mA, I = 0

3.5

–

(BR)CEO

I = 25mA, V = 0

C BE

(BR)CES

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 0.5mA, I = 0

C C

(BR)EBO

= 10V, I = 0

0.3 mA

CEO

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