NTE471

更新时间： 2024-11-01 22:50:55

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管射频放大器局域网
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2页	26K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 100W @ 30MHz

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NTE471 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.43
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	15 A
集电极-发射极最大电压：	36 V	配置：	SINGLE
JESD-30 代码：	O-CRFM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	250 W
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE471 数据手册

NTE471

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

P_O= 100W @ 30MHz

Description:

The NTE471 is a 28V epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB communica-

tions. This device utilizes state–of–the–art diffused emitter ballasting for improved ruggedness and

reliability.

Features:

D Better than 15dB Gain at 30MHz and 100W (CW/PEP)

D Diffused Emitter Ballasting

D Withstands Infinite Mismatch at Operating Conditions

D Low Inductance Stripline Package

D Frequency = 30MHz

D Power Out = 100 Watts

D Voltage = 28 Volts

D Power Gain = 15dB

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless otherweise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Maximum Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 270W

Maximum Junction Temperatures, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65°C/W

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