Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXTN600N04T2

IXTN600N04T2

更新时间： 2024-11-05 12:31:23

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IXYS		晶体二极管晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	182K
描述
TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

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IXTN600N04T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, MINI BLOC, 4 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.51	其他特性：	UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	600 A	最大漏极电流 (ID)：	600 A
最大漏源导通电阻：	0.00105 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	940 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1800 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTN600N04T2 数据手册

TrenchT2^TMGigaMOS^TM

Power MOSFET

V_DSS= 40V

I_D25= 600A

R_DS(on)≤ 1.3mΩ

IXTN600N04T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_DGR

V_GSM

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

Transient

±20

T_C= 25°C (Chip Capability)

600

External Lead Current Limit

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

200

1800

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_A

T_C= 25°C

200

E_AS

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

( Gate Return ) Terminal.

P_D

T_C= 25°C

940

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Package

^zminiBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL≤ 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

^z175°C Operating Temperature

^zIsolation Voltage 2500 V~

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

^zAvalanche Rated

Low R_DS(on)

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

1.5

3.5

^zDC-DC Converters and Off-Line UPS

^zPrimary-Side Switch

^zHigh Speed Power Switching

Applications

±200 nA

I_DSS

10 μA

1 mA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Note 1

1.3 mΩ

DS100172B(10/12)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTN60N50L2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTN60N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTN61N50	IXYS	获取价格	High Current Power MOSFET
IXTN62N50L	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
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