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IXTP01N100D

更新时间： 2024-11-19 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	409K
描述
与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件可以保持在零栅偏压或更高的栅偏压，但同时具有与类似的MOSFET相似的特性。此类产品适用于电平移动、固态

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IXTP01N100D 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.4 A	最大漏极电流 (ID)：	0.4 A
最大漏源导通电阻：	80 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	1.1 W
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	0.4 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP01N100D 数据手册

Depletion Mode

MOSFET

V_DSX= 1000V

IXTY01N100D

IXTU01N100D

IXTP01N100D

R_DS(on) 80

N-Channel

TO-252

(IXTY)

D (Tab)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-251

(IXTU)

T_J= 25C to 150C

1000

V_DGX

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D (Tab)

I_DM

P_D

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_J

400

TO-220

(IXTP)

T_C= 25C

T_A= 25C

1.1

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

C

D (Tab)

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

G = Gate

= Drain

S = Source Tab = Drain

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-252

TO-251

TO-220

0.35

0.40

3.00

Features

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Low R_DS(on)HDMOS^TMProcess

• Rugged Polysilicon Gate Cell Structure

• Fast Switching Speed

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

- 2.0

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSX

V_GS= -10V, I_D= 25A

V_DS= 25V, I_D= 25A

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= -10V

Advantages

- 4.5

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

100 nA

I_DSX(off)

10 A

T_J= 125C

250 A

Applications

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 0V, I_D= 50mA, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

80 

• Level Shifting

• Triggers

400

• Solid State Relays

• Current Regulators

DS98809F(5/19)

12 3 4 5 6 7

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与IXTP01N100D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP02N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP02N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP02N50D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTP02N50D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTP03N90P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
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IXTP05N100M	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP05N100P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTP05N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1000V, 30ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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