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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | UL RECOGNIZED | 雪崩能效等级（Eas）： | 5000 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 62 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 62 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 800 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 150 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Nickel (Ni) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTN660N04T4 | LITTELFUSE |
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40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。 它可提供27 |
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| IXTN79N20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 79A I(D) |
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| IXTN80N30L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTN8N150L | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1500V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTN8N150L | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTN90N25L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTN90N25L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 250V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTN90P20P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTN90P20P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IXTP01N100 | IXYS |
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High Voltage MOSFET |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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