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IXTN8N150L

更新时间： 2024-11-21 14:18:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	149K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1500V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, MINIBLOC-4

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IXTN8N150L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.5 A	最大漏极电流 (ID)：	7.5 A
最大漏源导通电阻：	3.6 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	545 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTN8N150L 数据手册

Linear Power MOSFET

w/Extended FBSOA

V_DSS

I_D25

R_DS(on)≤ 3.6Ω

= 1500V

= 7.5A

IXTN8N150L

N-Channel Enhancement Mode

Guaranteed FBSOA

miniBLOC, SOT-227 B

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1500

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

7.5

G = Gate

S = Source

D = Drain

S = Source

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

P_D

T_C= 25°C

545

T_J

-55 to +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

-55 to +150

^zDesigned for Linear Operations

^zInternational Standard Package

^zMolding Epoxies Meet UL94 V-0

Flammability Classification

^zGuaranteed FBSOA at 60ºC

^zminiBLOC with Aluminum Nitride

Isolation

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA,

t = 1s

M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

^zLow R_DS(on)HDMOS^TMProcess

^zRugged Polysilicon Gate Cell

Structure

^zLow Package Inductance

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

^zProgrammable Loads

^zCurrent Regulators

^zDC-DC Convertors

^zBattery Chargers

^zDC Choppers

^zTemperature and Lighting Controls

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS,V_GS= 0V

1500

5.0

8.0

±200 nA

I_DSS

25 µA

T_J= 125°C

500 µA

R_DS(on)

V_GS= 20V, I_D= 4A, Note 1

3.6

Ω

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

DS99815B(3/13)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTN90N25L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTN90N25L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 250V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTN90P20P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTN90P20P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IXTP01N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP01N100D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP01N100D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTP02N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP02N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP02N50D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode

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