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IXTN90N25L2

更新时间： 2024-11-18 19:44:47

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	136K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTN90N25L2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.27
Base Number Matches：	1

IXTN90N25L2 数据手册

Linear L2^TM

PowerMOSFET

V_DSS= 250V

I_D25= 90A

IXTN90N25L2

w/ Extended FBSOA

R_DS(on) 36m

N-Channel Enhancement Mode

GuaranteedFBSOA

AvalancheRated

miniBLOC,SOT-227

E153432

Symbol

V_DSS

TestConditions

MaximumRatings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

250

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C=25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source

D = Drain

360

I_A

T_C=25C

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

E_AS

P_D

T_C=25C

735

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

 Designed for Linear Operation

 International Standard Package



M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in

Guaranteed FBSOA at 75°C

 AvalancheRated

 Molding Epoxy Meets UL94 V-0

FlammabilityClassification

 MiniBLOCwith AluminiumNitride

Isolation

Weight

Applications

 ProgrammableLoads

 CurrentRegulators

 DC-DCConverters

 BatteryChargers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

 DCChoppers

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 3mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

250

2.0

 Temperature and Lighting Controls

4.5

Advantages

200 nA

 Easy to Mount

 SpaceSavings

 High Power Density

I_DSS

50 A

2.5 mA

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 45A, Note 1

36 m

DS100103A(4/16)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTN90P20P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTN90P20P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IXTP01N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP01N100D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP01N100D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTP02N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP02N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP02N50D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTP02N50D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTP03N90P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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