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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | PLASTIC, MINIBLOC-4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 3500 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 90 A | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.044 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 890 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 270 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP01N100 | IXYS |
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High Voltage MOSFET |
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| IXTP01N100D | IXYS |
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High Voltage MOSFET |
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| IXTP01N100D | LITTELFUSE |
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与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此，这种器件 |
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| IXTP02N120P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTP02N120P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP02N50D | IXYS |
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High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode |
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| IXTP02N50D | LITTELFUSE |
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与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此，这种器件 |
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| IXTP03N90P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP05N100 | IXYS |
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High Voltage MOSFET |
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| IXTP05N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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