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IXTP01N100

更新时间： 2024-11-17 22:11:03

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描述
High Voltage MOSFET

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IXTP01N100 数据手册

IXTP 01N100D

V_DSS= 1000 V

I_D25= 100 mA

R_DS(on)= 110 Ω

High Voltage MOSFET

N-Channel,DepletionMode

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXTP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C;T_J= 25°C to 150°C

100

400

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

P_D

T_C= 25°C

T_A= 25°C

1.1

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

-55 ... +150

^lNormally ON mode

^lLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

^lRuggedpolysilicongatecellstructure

^lFastswitchingspeed

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

Weight

Applications

Levelshifting

Triggers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Solid state relays

min. typ. max.

Currentregulators

V_DSS

V_GS= -10 V, I_D= 25 µA

V_DS= 25V, I_D= 25 µA

1000

-2.5

V_GS(off)

-5

I_GSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

I_DSS(off)

V_DS= V_DSS,V_GS= -10 V

T_J= 25°C

10 µA

T_J= 125°C

250 µA

R_DS(on)

V_GS= 0 V, I_D= 50 mA Note 1

110

Ω

I_D(on)

V_GS= 0 V, V_DS= 50V Note 1

250

98809A (12/01)

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