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IXTN90P20P

更新时间： 2024-11-18 20:02:23

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	128K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTN90P20P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

IXTN90P20P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFET

V_DSS= - 200V

I_D25= - 90A

IXTN90P20P

R_DS(on)



44m

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

- 200

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

- 90

- 270

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

I_A

E_AS

T_C= 25C

- 90

3.5

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

890

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

^International Standard Package

^miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

^Rugged PolarP^TMProcess

^Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in

^Low Package Inductance

Weight

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 200

- 2.0

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250A

V_DS= V_GS, I_D= -1mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment



- 4.5



100 nA



Current Regulators

I_DSS

- 50 A

T_J= 125C

- 250 A

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

44 m

DS99934D(6/16)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP01N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP01N100D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP01N100D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTP02N120P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP02N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP02N50D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET N-Channel, Depletion Mode
IXTP02N50D	LITTELFUSE	获取价格	与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。因此，这种器件
IXTP03N90P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP05N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP05N100	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉

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