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IXTN80N30L2

更新时间： 2024-11-22 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
6页	183K
描述
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。当功率MOSFET以线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应

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IXTN80N30L2 数据手册

Advance Technical Information

LinearL2^TM

Power MOSFET

w/ Extended FBSOA

V_DSS= 300V

I_D25= 80A

R_DS(on) 38m

IXTN80N30L2

_OD

R_Gi

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

300

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

200

I_A

T_C= 25C

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AS

P_D

T_C= 25C

735

T_J

-55 ... +150

150

C

Features

T_JM

T_stg

^International Standard Package

^miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

^Isolation Voltage 2500V~

^High Current Handling Capability

^Avalanche Rated

-55 ... +150

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in



Low R_DS(on)

Weight

^Designed for Linear Operation

^Guaranteed FBSOA at 75C

Advantages



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 3mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

300

Applications

2.5

4.5

^Solid State Circuit Breakers

^Soft Start Controls

200 nA

^Linear Amplifiers

^Programmable Loads

^Current Regulators

I_DSS

10 A

250 A

T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

38 m

DS100884A(1/18)

12 3 4 5 6

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