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力特 - LITTELFUSE | 开关 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 183K | |
描述 | ||
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTN8N150L | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1500V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTN8N150L | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTN90N25L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTN90N25L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 250V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTN90P20P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTN90P20P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IXTP01N100 | IXYS |
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High Voltage MOSFET | |
IXTP01N100D | IXYS |
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High Voltage MOSFET | |
IXTP01N100D | LITTELFUSE |
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与普通的增强型MOSFET不同,耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此,这种器件 | |
IXTP02N120P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |