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IXTN660N04T4

更新时间： 2024-11-22 14:56:39

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
7页	204K
描述
40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。它可提供270A或340A 的电流额定值，并针对开关模式功率转换应用中的同步整流进行了优化。由于通态电阻低至1.7毫

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IXTN660N04T4 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT4^TM

Power MOSFET

V_DSS= 40V

I_D25= 660A

R_DS(on) 0.85m

IXTN660N04T4

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_DGR

V_GSM

Transient

15

I_D25

T_C= 25C (Chip Capability)

660

200

D = Drain

I_L(RMS)

I_DM

External Lead Current Limit

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

1800

G = Gate

S = Source

I_A

T_C= 25C

330

E_AS

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

( Gate Return ) Terminal.

P_D

T_C= 25C

1040

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

C

Features

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

^International Standard Package

^miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

^175°C Operating Temperature

^Isolation Voltage 2500 V~

^High Current Handling Capability

^Fast Intrinsic Diode

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in

Weight

^Avalanche Rated



Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



2.0

4.0

200 nA

Applications

I_DSS

10 A

1.5 mA

^DC-DC Converters and Offi-Line UPS

^Primary-Side Switch

^High Speed Power Switching

Applications

T_J= 150C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Note 1

0.85 m

DS100728A(7/16)

12 3 4 5 6 7

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