Datasheet > IXTN660N04T4

IXTN660N04T4

更新时间： 2024-11-07 14:56:39

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
7页	204K
描述
40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。它可提供270A或340A 的电流额定值，并针对开关模式功率转换应用中的同步整流进行了优化。由于通态电阻低至1.7毫

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTN660N04T4 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT4^TM

Power MOSFET

V_DSS= 40V

I_D25= 660A

R_DS(on) 0.85m

IXTN660N04T4

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_DGR

V_GSM

Transient

15

I_D25

T_C= 25C (Chip Capability)

660

200

D = Drain

I_L(RMS)

I_DM

External Lead Current Limit

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

1800

G = Gate

S = Source

I_A

T_C= 25C

330

E_AS

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

( Gate Return ) Terminal.

P_D

T_C= 25C

1040

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

C

Features

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

^International Standard Package

^miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

^175°C Operating Temperature

^Isolation Voltage 2500 V~

^High Current Handling Capability

^Fast Intrinsic Diode

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in

Weight

^Avalanche Rated



Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



2.0

4.0

200 nA

Applications

I_DSS

10 A

1.5 mA

^DC-DC Converters and Offi-Line UPS

^Primary-Side Switch

^High Speed Power Switching

Applications

T_J= 150C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Note 1

0.85 m

DS100728A(7/16)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTN660N04T4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTN79N20	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 200V V(BR)DSS \| 79A I(D)
IXTN80N30L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTN8N150L	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1500V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTN8N150L	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTN90N25L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTN90N25L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 250V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTN90P20P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTN90P20P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IXTP01N100	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP01N100D	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET

与IXTN660N04T4相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTN660N04T4

IXTN660N04T4 数据手册

与IXTN660N04T4相关器件

与IXTN660N04T4相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTN660N04T4

IXTN660N04T4 数据手册

与IXTN660N04T4相关器件

与IXTN660N04T4相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？