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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTN80N30L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正 |
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| IXTN8N150L | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1500V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTN8N150L | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTN90N25L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTN90N25L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 250V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTN90P20P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTN90P20P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IXTP01N100 | IXYS |
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High Voltage MOSFET |
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| IXTP01N100D | IXYS |
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High Voltage MOSFET |
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| IXTP01N100D | LITTELFUSE |
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与普通的增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负的栅偏压方可关闭。 因此，这种器件 |
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