IXTN60N50L2

更新时间： 2024-11-05 12:36:55

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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5页	135K
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N-Channel Enhancement Mode

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IXTN60N50L2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.96
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	30 A	最大漏极电流 (ID)：	53 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	735 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTN60N50L2 数据手册

Preliminary Technical Information

Linear L2^TMPower

MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 53A

R_DS(on)≤ 100mΩ

IXTN60N50L2

N-Channel Enhancement Mode

Extended FBSOA

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

150

G = Gate

S = Source

I_A

T_C= 25°C

E_AS

Either source terminal S can be used as the

source terminal or the Kelvin source (gate

return) terminal.

P_D

T_C= 25°C

735

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• Designed for linear operation

• International standard package

• Molding epoxy meets UL94 V-0

flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL≤ 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

M_d

Mounting torque

Terminal Connection torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Applications

Weight

• Programmable loads

• Current regulators

• DC-DC converters

• Battery chargers

• DC choppers

• Temperature and lighting controls

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

500

2.5

4.5

±200 nA

50 μA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 30A Note 1

100 mΩ

DS100086(12/08)

12 3 4 5

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