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力特 - LITTELFUSE | 开关 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 159K | |
描述 | ||
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.76 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTN61N50 | IXYS |
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High Current Power MOSFET | |
IXTN62N50L | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode | |
IXTN62N50L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力,这是 | |
IXTN660N04T4 | LITTELFUSE |
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40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。 它可提供27 | |
IXTN79N20 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 79A I(D) | |
IXTN80N30L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTN8N150L | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1500V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTN8N150L | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTN90N25L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTN90N25L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 250V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |