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IXGP30N60B4D1

更新时间： 2024-11-18 19:21:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅瞄准线功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	86K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 56A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXGP30N60B4D1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	56 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	190 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	511 ns
标称接通时间 (ton)：	53 ns	Base Number Matches：	1

IXGP30N60B4D1 数据手册

Preliminary Technical Information

V_CES= 600V

I_C110= 30A

V_CE(sat) 1.7V

t_fi(typ)= 88ns

High-Gain IGBT

w/ Diode

IXGP30N60B4D1

High-Speed PT Trench IGBT

TO-220

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

Tab

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

G = Gate

= Collector

E = Emitter

Tab = Collector

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C

T_C= 110°C

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

156

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 10

I_CM= 48

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

V_CE V_CES

^Optimized for Low Conduction and

Switching Losses

P_C

T_C= 25°C

190

^Square RBSOA

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

^Anti-Parallel Ultra Fast Diode

^International Standard Package

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

^High Power Density

^Low Gate Drive Requirement

Weight

Applications

• Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

• Uninterruptible Power Supplies (UPS)

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

• DC Choppers

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_CE= V_GE

3.0

5.5

• AC Motor Speed Drives

• DC Servo and Robot Drives

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

10 A

500 A

T_J= 125C



PFC Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 24A, V_GE= 15V, Note 1

1.5

1.7

DS100275B(8/13)

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