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IXGK320N60B3

更新时间： 2024-11-05 11:14:11

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	194K
描述
GenX3 600V IGBTs

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IXGK320N60B3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	320 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1700 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	780 ns	标称接通时间 (ton)：	115 ns
Base Number Matches：	1

IXGK320N60B3 数据手册

Preliminary Technical Information

GenX3^TM600V

IGBTs

V_CES= 600V

I_C90= 320A

V_CE(sat)≤ 1.6V

IXGK320N60B3

IXGX320N60B3

Medium-Speed Low-Vsat PT

IGBTs for 5-40 kHz Switching

TO-264 (IXGK)

Symbol

V_CES

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

Continuous

Maximum Ratings

600

±20

±30

Tab

V_CGR

V_GES

PLUS247 (IXGX)

V_GEM

Transient

I_C25

I_C90

I_LRMS

I_CM

T_C= 25°C ( Chip Capability )

T_C= 90°C

500

320

Terminal Current Limit

T_C= 25°C, 1ms

160

1200

Tab

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 1Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 320

V_CE< V_CES

G = Gate

= Emitter

C = Collector

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

1700

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062 in.) from Case for 10

300

260

°C

^zOptimized for Low Conduction and

Switching Losses

^zHigh Current Capability

^zSquare RBSOA

M_d

F_C

Mounting Torque ( IXGK )

Mounting Force ( IXGX )

1.13/10

20..120/4.5..27

Nm/lb.in.

N/lb.

Weight

TO-264

PLUS247

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 1mA, V_GE= 0V

I_C= 4mA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

5.0

^zPower Inverters

^zUPS

75 μA

^zMotor Drives

^zSMPS

^zPFC Circuits

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

T_J= 125°C

2 mA

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ± 20V

±400 nA

V_CE(sat)

I_C= 100A, V_GE= 15V, Note 1

I_C= 320A

1.4

2.0

1.6

DS100157A(05/10)

12 3 4 5 6

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IXGK320N60B3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGX320N60B3	IXYS	完全替代	GenX3 600V IGBTs
IXBF55N300	IXYS	功能相似	Insulated Gate Bipolar Transistor, 73A I(C), 3000V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAK-3

与IXGK320N60B3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGK35N120B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGK35N120B	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK35N120BD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGK35N120C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGK35N120CD1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGK400N30A3	IXYS	获取价格	GenX3 300V IGBTs
IXGK400N30A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGK50N120C3H1	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBTs w/ Diode
IXGK50N120C3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK50N50BU1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT with Diode

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