型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGK400N30A3 | IXYS |
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GenX3 300V IGBTs | |
IXGK400N30A3 | LITTELFUSE |
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IXYS系列穿通型(PT)IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。 这些产品针对 | |
IXGK50N120C3H1 | IXYS |
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GenX3 1200V IGBTs w/ Diode | |
IXGK50N120C3H1 | LITTELFUSE |
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GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT(打穿)生产。? 30 | |
IXGK50N50BU1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode | |
IXGK50N60A2D1 | IXYS |
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IGBT with Diode | |
IXGK50N60A2U1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3 | |
IXGK50N60AU1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode | |
IXGK50N60B | IXYS |
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HiPerFAST IGBT | |
IXGK50N60B2D1 | IXYS |
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HiPerFAST IGBT with Diode |