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IXGK50N60A2U1

更新时间： 2024-02-17 05:21:29

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	142K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3 PIN

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IXGK50N60A2U1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	TO-264, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.67
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1230 ns
标称接通时间 (ton)：	45 ns	Base Number Matches：	1

IXGK50N60A2U1 数据手册

Advance Technical Information

V_CES

I_C25

V_CE(sat)

= 600 V

= 75 A

= 1.6 V

IXGK 50N60A2U1

IXGX 50N60A2U1

IGBT with Diode

Low Saturation Voltage IGBT

with Low Forward Drop Diode

PreliminaryDataSheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-264

(IXGK)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

PLUS247

(IXGX)

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

T_C= 110°C (50N60A2D1 Diode)

T_C= 25°C, 1 ms

(TAB)

200

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

Tab = Collector

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM= 80

(RBSOA)

Clamped inductive load @ V_CE≤ 600 V

P_C

T_C= 25°C

400

Features

• Low on-state voltage IGBT and

anti-parallel diode in one package

• High current handling capability

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

• MOS Gate turn-on for drive simplicity

M_d

Mounting torque (TO-264)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-264

PLUS247

Applications

• Lighting controls

• Heating controls

• AC/DC relays

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

Advantages

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

• Space savings (two devices in one

package)

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

650

µA

• Easy to mount with 1 screw or spring

clip

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100

V_CE(sat)

I_C= 50 A, V_GE= 15 V

Note 1

1.33 1.6

1.3

T_J= 125°C

DS99275A(02/05)

12 3 4 5 6

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