Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGK60N60C2D1

IXGK60N60C2D1

更新时间： 2024-02-11 04:31:25

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
5页	620K
描述
HiPerFASTTM IGBT with Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGK60N60C2D1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	210 ns	标称接通时间 (ton)：	43 ns
Base Number Matches：	1

IXGK60N60C2D1 数据手册

Advance Technical Data

HiPerFAST^TM

V_CES

I_C25

= 600 V

= 75 A

= 2.5 V

= 35 ns

IXGK60N60C2D1

IXGX 60N60C2D1

IGBT with Diode

V_CE(sat)

t_fi(typ)

C2-Class High Speed IGBTs

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-264 AA

(IXGK)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

600

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

PLUS247

(IXGX)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C (limited by leads)

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1 ms

300

(TAB)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

Clamped inductive load @ V_CE≤ 600 V

I_CM= 100

G = Gate

C = Collector

E = Emitter

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

480

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• Very high frequency IGBT and

anti-parallel FRED in one package

• Square RBSOA

M_d

Mounting torque, TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

• High current handling capability

Weight

TO-264

PLUS247

• MOS Gate turn-on for drive simplicity

• Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

with soft recovery and low I_RM

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Applications

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ. Max.

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• DC choppers

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

3.0

5.0

V_CE= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

650

µA

V_GE= 0^CV^ES

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V

100

2.5

Advantages

V_CE(sat)

I_C= 50 A, V_GE= 15 V

Note 1

T = 25°C

T_J^J= 125°C

2.1

1.8

• Space savings (two devices in one

package)

• Easy to mount with 1 screw

DS99044A(09/03)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXGK60N60C2D1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGK64N60B3D1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGK64N60B3D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK72N60A3H1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT w/Diode
IXGK72N60A3H1	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGK72N60B3H1	IXYS	获取价格	GenX3 600V IGBT with Diode
IXGK72N60B3H1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGK75N250	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264,
IXGK75N250	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 2500V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, PLASTIC
IXGK75N60B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264AA,
IXGK80N60A	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT

与IXGK60N60C2D1相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

6
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGK60N60C2D1

IXGK60N60C2D1 技术参数

IXGK60N60C2D1 数据手册

与IXGK60N60C2D1相关器件

与IXGK60N60C2D1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGK60N60C2D1

IXGK60N60C2D1 技术参数

IXGK60N60C2D1 数据手册

与IXGK60N60C2D1相关器件

与IXGK60N60C2D1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？