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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | ISOPLUS |
| 包装说明： | ISOPLUS-264, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 375 ns | 标称接通时间 (ton)： | 110 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXGL75N250 | LITTELFUSE |
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NPT IGBT拥有方形RBSOA和10 us的短路耐受能力。 具有正温度系数Vce(sa |
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| IXGL75N60BU1 | IXYS |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS-264, 3 PIN |
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| IXGM10N100A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM10N50 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM10N50A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM10N60 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM10N60A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM10N80A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM10N90A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE |
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| IXGM17N100 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |
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