是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | BFM |
包装说明: | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.82 |
其他特性: | HIGH SPEED | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 34 A | 集电极-发射极最大电压: | 1000 V |
配置: | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值: | 5 V |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JEDEC-95代码: | TO-204AE |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 150 W |
最大功率耗散 (Abs): | 150 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 1450 ns |
标称接通时间 (ton): | 300 ns | VCEsat-Max: | 4 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXGM20N100 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE | |
IXGM20N100A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE | |
IXGM20N50 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE | |
IXGM20N50A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE | |
IXGM20N60 | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGM20N60A | IXYS |
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Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT | |
IXGM20N80 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE | |
IXGM20N80A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 800V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE | |
IXGM20N90 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE | |
IXGM20N90A | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 900V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-204AE |