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IXGM10N50

更新时间: 2024-01-07 05:44:55
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其他 - ETC 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 375K
描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-204AE

IXGM10N50 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:,Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.76Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):20 A集电极-发射极最大电压:500 V
最大降落时间(tf):500 ns门极发射器阈值电压最大值:5 V
门极-发射极最大电压:30 VJESD-609代码:e0
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):100 W最大上升时间(tr):200 ns
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

IXGM10N50 数据手册

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