Datasheet > IXGM30N60A

IXGM30N60A

更新时间： 2024-11-23 22:51:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	68K
描述
Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGM30N60A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	50 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	500 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	30 V
JEDEC-95代码：	TO-204AE	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	200 W
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	200 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	850 ns
标称接通时间 (ton)：	300 ns	VCEsat-Max：	3 V
Base Number Matches：	1

IXGM30N60A 数据手册

V_CES

600 V 50 A 2.5 V

IXGH/IXGM 30 N60A 600 V 50 A 3.0 V

I_C25V_CE(sat)

Low V_CE(sat)IGBT

High speed IGBT

IXGH/IXGM 30 N60

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXGH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-204 AE (IXGM)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

100

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 33 Ω

I_CM= 60

(RBSOA)

Clamped inductive load, L = 100 µH

@ 0.8 V_CES

P_C

T_C= 25°C

200

T_J

-55 ... +150

150

°C

G = Gate,

E = Emitter,

C = Collector,

TAB = Collector

T_JM

T_stg

-55 ... +150

M_d

Mounting torque (M3)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

International standard packages

2nd generation HDMOS^TMprocess

Low V_CE(sat)

- for low on-state conduction losses

High current handling capability

MOS Gate turn-on

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- drive simplicity

Voltage rating guaranteed at high

temperature (125°C)

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

AC motor speed control

DC servo and robot drives

DC choppers

Uninterruptible power supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

600

2.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 µA

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

30N60

30N60A

2.5

3.0

(isolated mounting screw hole)

High power density

91512E (3/96)

中文翻译

下载PDF

与IXGM30N60A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGM40N50A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 500V V(BR)CES \| TO-3
IXGM40N60	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGM40N60A	IXYS	获取价格	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGN100N170	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4
IXGN120N60A3	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGN120N60A3	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGN120N60A3D1	IXYS	获取价格	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications
IXGN120N60A3D1	LITTELFUSE	获取价格	IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对
IXGN200N170	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用:?
IXGN200N60	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT

与IXGM30N60A相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

38
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

30
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

58
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

54

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGM30N60A

IXGM30N60A 技术参数

IXGM30N60A 数据手册

与IXGM30N60A相关器件

与IXGM30N60A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGM30N60A

IXGM30N60A 技术参数

IXGM30N60A 数据手册

与IXGM30N60A相关器件

与IXGM30N60A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？