Datasheet > 晶体管 > IGBT> IXGN50N60BD2

IXGN50N60BD2

更新时间： 2024-02-08 19:29:49

品牌	Logo	应用领域
IXYS		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
5页	150K
描述
HiPerFAST IGBT with HiPerFRED

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGN50N60BD2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.79	其他特性：	FAST
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	250 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	200 ns	标称接通时间 (ton)：	50 ns
VCEsat-Max：	2.5 V	Base Number Matches：	1

IXGN50N60BD2 数据手册

HiPerFAST^TMIGBT

with HiPerFRED

IXGN 50N60BD2 V_CES

IXGN 50N60BD3 I_C25

= 600 V

= 75 A

V_CE(sat)= 2.5 V

t_fi= 150 ns

Buck & boost configurations

...BD2

...BD3

Symbol TestConditions

MaximumRatings

SOT-227B, miniBLOC

E153432

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

T_C= 25°C

I_C90

T_C= 90°C

IXGN50N60BD2

1 = Emitter; 2 = Gate

3 = Collector; 4 = Diode cathode

I_CM

T_C= 25°C, 1 ms

200

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 W

I_CM= 100

(RBSOA) Clamped inductive load, L = 30 mH

@ 0.8 V_CES

IXGN50N60BD3

1 = Emitter/Diode Cathode; 2 = Gate

3 = Collector; 4 = Diode anode

P_C

T_C= 25°C

250

600

V_RRM

I_FAVM

I_FRM

P_D

T_C= 70°C; rectangular, d = 50%

t_Pz<10 ms; pulse width limited by T_J

T_C= 25°C

Features

600

• Internationalstandardpackage

miniBLOC

150

°C

T_J

-40 ... +150

150

• Aluminiumnitrideisolation

- highpowerdissipation

• Isolation voltage 3000 V~

• Very high current, fast switching

IGBT & FRED diode

T_JM

T_stg

M_d

-40 ... +150

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque(M4)

1.5/13 Nm/lb.in.

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

• Low collector-to-case capacitance

• Low package inductance (< 10 nH)

- easy to drive and to protect

• Molding epoxies meet UL94V-0

flammabilityclassification

Weight

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ. max.

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

600

2.5

• Buck converters

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

200 mA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

2.5

• Easy to mount with 2 screws

• Space savings

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98502C(8/99)

1 - 5

12 3 4 5

下载PDF

与IXGN50N60BD2相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXGN50N60BD3	IXYS	HiPerFAST IGBT with HiPerFRED	获取价格
IXGN60N60	IXYS	Ultra-Low VCE(sat) IGBT	获取价格
IXGN60N60C2	IXYS	HiPerFASTTM IGBTs with Diode	获取价格
IXGN60N60C2D1	IXYS	HiPerFASTTM IGBTs with Diode	获取价格
IXGN72N60A3	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor, 160A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4	获取价格
IXGN72N60A3	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGN50N60BD2

IXGN50N60BD2 技术参数

IXGN50N60BD2 数据手册

与IXGN50N60BD2相关器件

与IXGN50N60BD2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGN50N60BD2

IXGN50N60BD2 技术参数

IXGN50N60BD2 数据手册

与IXGN50N60BD2相关器件

与IXGN50N60BD2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？