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Datasheet > IXGP10N90A

IXGP10N90A PDF预览

IXGP10N90A

更新时间： 2024-01-28 18:13:35

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
7页	672K
描述
TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 900V V(BR)CES \| 20A I(C) \| TO-220AB

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IXGP10N90A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	20 A	集电极-发射极最大电压：	900 V
最大降落时间（tf）：	1000 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JESD-609代码：	e0
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	最大上升时间（tr）：	200 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

IXGP10N90A 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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