Datasheet > IXGP15N100C

IXGP15N100C

更新时间： 2024-01-14 14:09:25

品牌	Logo	应用领域
IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	101K
描述
IGBT Lightspeed Series

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXGP15N100C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	1000 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	430 ns	标称接通时间 (ton)：	43 ns
Base Number Matches：	1

IXGP15N100C 数据手册

V_CES

I_C25

=1000 V

= 30 A

IXGA 15N100C

IXGP 15N100C

IGBT

V_CE(sat)= 3.5 V

= 115 ns

LightspeedSeries

t_fi(typ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

1000

TO-220AB(IXGP)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-263AA(IXGA)

SSOA

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 10 Ω

I_CM= 40

(RBSOA)

Clamped inductive load

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

•International standard packages

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

•L^JEow^DEs^Cw^Titc^Oh^-i²n²g^0Alo^Bss^aeⁿs^{d TO-263AA}

•MOS Gate turn-on

Weight

TO-220

TO-263

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

1000

2.5

5.0

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

3.0

µA

Advantages

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15

3.5

T_J= 125°C

2.6

DS98647B(01/03)

中文翻译

下载PDF

与IXGP15N100C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP15N120B	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGP15N120B2	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220AB
IXGP15N120C	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBT
IXGP16N60B2	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed
IXGP16N60B2D1	IXYS	获取价格	HiPerFAST IGBTs B2-Class High Speed w/ Diode
IXGP16N60B2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP16N60C2	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT
IXGP16N60C2D1	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT C2-Class High Speed IGBT
IXGP16N60C2D1	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP20N100	IXYS	获取价格	IGBT

与IXGP15N100C相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

2
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

5
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

4
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP15N100C

IXGP15N100C 技术参数

IXGP15N100C 数据手册

与IXGP15N100C相关器件

与IXGP15N100C相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXGP15N100C

IXGP15N100C 技术参数

IXGP15N100C 数据手册

与IXGP15N100C相关器件

与IXGP15N100C相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？