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IXGP20N100

更新时间： 2024-11-23 21:54:51

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	113K
描述
IGBT

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IXGP20N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	40 A
集电极-发射极最大电压：	1000 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	700 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1220 ns	标称接通时间 (ton)：	60 ns
Base Number Matches：	1

IXGP20N100 数据手册

V_CES

I_C25

V_CE(sat)

= 1000 V

IXGA 20N100

IXGP 20N100

IGBT

40 A

3.0 V

PreliminaryDataSheet

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

1000

TO-220AB(IXGP)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

TO-263AA(IXGA)

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_VJ= 125°C, R_G= 47 Ω

Clamped inductive load, L = 300 µH

I_CM= 40

@ 0.8 V_CES

C (TAB)

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Features

• International standard packages

M_d

Mounting torque with screw M3

Mounting torque with screw M3.5

0.45/4 Nm/lb.in.

0.55/5 Nm/lb.in.

• H^JEig^Dh^Ec^Cur^Tr^Oen^-2t ²h⁰a^An^Bdli^anⁿg^dc^Ta^Opa^-2b⁶il³ity^AA

• MOS Gate turn-on

Weight

TO-220

TO-263

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switch-mode and resonant-mode

power supplies

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1 mA, V_GE= 0 V

I_C= 250 µA, V_CE= V_GE

1000

2.5

5.0

• Capacitor discharge

I_CES

V_CE= V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

µA

Advantages

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100

• Easy to mount with one screw

• Reduces assembly time and cost

• High power density

V_CE(sat)

I_C= I_CE90, V_GE= 15

2.2

3.0

DS98615B(01/03)

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