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IXGP20N120A3

更新时间： 2024-11-18 14:56:15

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		超快恢复二极管开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	262K
描述
IXYS系列穿通型（PT）IGBT具有高增益、极快速切换和低传导损耗等优点。这些产品针对UPS、离线式开关电源和电磁炉等高达100kHz的高速应用进行了优化。 G系列可提供带集成式超快恢复二极管（FRED）或不带FRED的型号。

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IXGP20N120A3 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	2
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXGP20N120A3 数据手册

GenX3^TM1200V IGBTs

V_CES= 1200V

I_C110= 20A

V_CE(sat)≤ 2.5V

IXGA20N120A3

IXGP20N120A3

IXGH20N120A3

Ultra-Low Vsat PT IGBTs for

up to 3 kHz Switching

TO-263 AA (IXGA)

C (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXGP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

1200

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

TO-247 (IXGH)

120

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15V, T_J= 125°C, R_G= 10Ω

Clamped Inductive Load

I_CM= 40

@V_CE≤ 960

P_C

T_C= 25°C

180

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

C (Tab)

-55 ... +150

G = Gate

= Collector

E = Emitter

Tab = Collector

M_d

F_C

Mounting Torque (TO-247 & TO-220)

Mounting Force (TO-263)

1.13/10

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

N/lb.

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zOptimized for Low Conduction Losses

^zInternational Standard Packages

Advantages

^zHigh Power Density

^zLow Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

^zPower Inverters

^zUPS

5.0

25 μA

^zMotor Drives

^zSMPS

T_J= 125°C

±100

2.5

^zPFC Circuits

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

^zBattery Chargers

^zWelding Machines

^zLamp Ballasts

^zInrush Current Protection Circuits

V_CE(sat)

I_C= 20A, V_GE= 15V, Note 1

2.3

2.5

DS100046A(11/09)

12 3 4 5 6 7

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与IXGP20N120A3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXGP20N120B	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220,
IXGP20N120B	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220,
IXGP20N120B3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGP20N120B3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30
IXGP20N120BD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220,
IXGP20N120BD1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220,
IXGP20N30	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), N-Channel, TO-220AB,
IXGP20N60B	IXYS	获取价格	HiPerFASTTM IGBT
IXGP24N120C3	IXYS	获取价格	GenX3 1200V IGBT
IXGP24N120C3	LITTELFUSE	获取价格	GenX3? IGBT采用我们完善的HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。? 30

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