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IXGP30N60B2

更新时间： 2024-11-20 20:11:23
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 548K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXGP30N60B2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.18外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：70 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：350 ns标称接通时间 (ton)：30 ns
Base Number Matches：1

IXGP30N60B2 数据手册

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Advance Technical Data  
HiPerFASTTM IGBT  
VCES  
IC25  
= 600 V  
= 70 A  
IXGP 30N60B2  
VCE(sat) < 1.8 V  
Optimized for 10-25 KHz hard  
switching and up to 150 KHz  
resonant switching  
tfityp  
= 82 ns  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220 (IXSP)  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGE = 1 MΩ  
600  
600  
V
V
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
C (TAB)  
G
C
E
IC25  
IC110  
ICM  
TC = 25°C (limited by leads)  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1 ms  
70  
30  
150  
A
A
A
G = Gate,  
C = Collector,  
E = Emitter,  
TAB = Collector  
SSOA  
(RBSOA)  
PC  
VGE = 15 V, TVJ = 125°C, RG = 10 Ω  
Clamped inductive load @ ≤ 600 V  
TC = 25°C  
ICM = 60  
A
Features  
190  
W
z
Medium frequency IGBT  
Square RBSOA  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
z
z
z
High current handling capability  
MOS Gate turn-on  
- drive simplicity  
Maximum lead temperature for soldering  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Applications  
Md  
Mounting torque  
1.13/10Nm/lb.in.  
z
PFC circuits  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
z
Weight  
4
g
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies  
z
AC motor speed control  
z
DC servo and robot drives  
z
DC choppers  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250 µA, VCE = VGE  
2.5  
5.0  
V
VCE = V  
T = 25°C  
50  
µA  
VGE = 0CVES  
TJJ = 150°C  
1
100  
1.8  
mA  
nA  
V
IGES  
VCE = 0 V, VGE = 20 V  
IC = 24 A, VGE = 15 V  
VCE(sat)  
TJ = 25°C  
© 2004 IXYS All rights reserved  
DS99167(04/04)  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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